表示多晶体的屈服强度与其晶粒大小的关系式σ*＝σo+kd-1/2，式中d为多晶体的晶粒直径，σo为阻止位错滑移的摩擦力。在纯金属中σo包括晶格阻力(P-N力)、晶体内其他位错应力场对运动位错的阻力，在合金中还包括固溶强化等因素。k为相邻晶粒位向差对位错运动的影响系数，即俗称的晶界阻力，它的大小与晶体结构有关。位错受晶界阻挡形成塞积群，当塞积群中领头位错受到的应力达到某一数值可将相邻晶粒中的位错源开动时即构成屈服条件，与此应力对应的外力即屈服点。由此模型可以导出屈服强度与晶粒直径平方根的倒数成线性关系。此关系不仅适用于下屈服点，也适用于流变应力、疲劳强度 ...... （共436字） [阅读本文]>>
材料科学与工程具有铁磁性质的材料有以下一些特点：①即使没有外磁场，在材料内部各个小区域 (磁畴) 内仍存在永久磁矩。但未经磁化的磁性材料在没有外磁场时各磁畴的磁矩方向是任意分布的，其矢量和为零，故材料整体并无磁性。
材料科学与工程一块半导体内部p型区与n型区分界面形成区域。如果在高纯的Si或Ge半导体片的两侧分别掺入五价的杂质(如P、As)和三价的杂质(如Ga、In)，那么就得到一侧是n型半导体，另一侧是p型半导体的材料，n型
材料科学与工程如果在相变前后作为自由能(吉氏自由能G或赫氏自由能F)的一阶导数的物理量的变化是连续的，但作为二阶导数的物理量，如热容量(Cp＝-T(∂2G/∂T2)p， Cv＝-T(∂2F/∂T2)，)、压缩系数
材料科学与工程又称内摩擦。在有缺陷(包括点缺陷、线缺陷和面缺陷)的固体中，由于缺陷引起的对固体变形的阻力。内耗表现在以下两类典型现象中。第一类是振动现象。在没有内耗的理想固体中，振动是无阻尼的，此时自由振动(没有外
材料科学与工程由许多能量差别非常小的能级形成的近似连续的带。在大量原子聚集成固体时，由于每个原子在聚集前(自由态)的能级均发生分裂，形成大量能量差别非常小的能级，可以看成是近似连续的带。例如，当两个氢原子由远趋近时
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