1.3 江崎量子隧道二极管
隧穿效应是量子力学的基本效应,不同于一个乒乓球,一个小电子可能穿过势垒。日本物理学家江崎玲于奈(Esaki)率先研究量子力学隧穿半导体电子,并设计了隧道二极管,又称江崎二极管,并因此于1973年获诺贝尔物理学奖。他发现当增加载流子浓度使势垒变得很薄时,半导体PN结整流二极管的I-V曲线变得反常,即是双值的。正向偏压的I-V曲线是正常的按指数exp()上升的曲线,但在从零偏压到V=50mV左右有一个明显的凸峰,在凸峰和指数增加曲线的起点之间的区域是负斜率,即dI/dV<0。
在半导体的N型区和P型区之间有平面的耗尽层结,它把含有自由电子的N区和含有自由空穴的P区分开,耗尽层的宽度 ...... (共556字) [阅读本文]>>