半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(Laser Diode，LD)，或二极管激光器(Diode Laser)。有源区(Active Region)是一层薄的光波导芯层(厚度通常小于1μm);上下两侧为折射率较低的波导包层(Cladding)，分别为P型和N型半导体。激活区左右两侧为掩埋层(Burying)，其作用是限制激活区的条宽，以降低工作电流。通常基横模LD的条宽仅为2～5mm。激光器反射镜面由半导体晶体的解理面构成，典型腔长仅为0.5mm。芯片典型宽度仅为0.3～0.5mm。芯片两面制备了减小接触电阻的金属层(欧姆接触层，Ω-Contact)。当电流从P面注入二极管时，就可以从它的解 ...... （共489字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
由以上分析可知，在半导体中实现激射，必须有很高的载流子注入，准费米能级分别进入导带和价带。要在半导体中注入如此高的载流子浓度，必须克服技术上的困难。方法之一是光泵。在真空中实现的电子束注入也可以产生高密
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