关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。
半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的激活粒子是非平衡载流子，包括电子和空穴。半导体中的电子密度服从费米-迪拉克(Fermi-Dirac)分布[11]：
价带电子fV(E)=
(2-1a)
导带电子fC(E)=
(2-1b ...... （共2027字） [阅读本文]>>
式中，E1，E2分别为价带和导带中的电子能级，F1，F2分别为价带和导带的费米能级，kB为波尔兹曼常数，T为绝对温度。半导体体内须满足电中性条件，平衡时，F1＝F2，位于禁带之中。非平衡时，F1≠F2，并且随注入载流子浓度的变化而变化，称激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
由以上分析可知，在半导体中实现激射，必须有很高的载流子注入，准费米能级分别进入导带和价带。要在半导体中注入如此高的载流子浓度，必须克服技术上的困难。方法之一是光泵。在真空中实现的电子束注入也可以产生高密
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