多次曝光写制技术是指对光纤写制区域进行多次曝光，以实现特殊需求的光纤光栅制作。该技术一般以二次曝光为主。这种技术很适用于制作均匀及非均匀的特种光纤光栅。
1) 掩模板二次曝光技术
该技术要点为： 首先，用一不透光挡板沿光纤轴向匀速(或非匀速)移动，同时用均匀紫外光对光纤曝光，形成一个渐变的折射率梯度;然后，通过相位模板在第一次曝光区域上写入周期均匀(或非均匀)的光栅，完成二次曝光成栅过程。或者，在光纤同一位置利用掩模板二次曝光，其中二次曝光的模板位置与前一次位置稍有差异。图2-6为啁啾Moire光纤光栅(CMFG)写制原理示意图及写制的CMFG光谱[13]。
图2-6 掩模板二 ...... （共478字） [阅读本文]>>
光纤光栅CMT是目前公认的能够比较全面、细致、全程地描述光波耦合行为过程的FG理论，它是定量研究FG衍射效率及光谱分布的得力工具，分析UFG时可得到解析解并能精确计算其光谱。该理论的优点是数学方程形式简洁，完
本章主要阐述新型光纤光栅的基本内容，为新型光纤光栅模型构建、理论分析和典型应用打下必要的知识基础。首先，简述光纤光栅的基本概念;然后，以标志性事件为引导，阐述光纤光栅发展的历史沿革;进而，介绍光纤光栅分
光纤光栅(FG)的物质基础是光纤。光纤即光导纤维，它是基于光的全内反射原理制成的一种光传导器件。自1966年高锟博士(K.C.Kao)提出光纤长距离传输光信号的可行性，而后1970年美国康宁公司成功拉制
光纤光栅的发展，从低损耗光纤的拉制成功、光纤光敏性的发现以及光栅制作技术的发展角度分析，可将其分为3个阶段：初始阶段、发展阶段和成熟阶段。而每一阶段发生的标志性事件，则突出记录了光纤光栅的发展历程。
1978—1989年为光纤光栅的初始阶段，其时间跨度约为12年。该阶段的特点是首先发现了光纤光敏性现象，进而发明了光栅写制技术，其中有两个重大标志性事件。1)发现光致折变现象1978年，K.O.Hill
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