变迹曝光写制技术是指通过控制激光的输出功率以及曝光区域(纤芯或包层)的扫描方式，实现对写制区域折射率分布的包络改变。该技术很适用于制作诸如切趾型、Tapered型等非均匀光纤光栅，但曝光光束的输出功率及扫描速率须精确调控。
1) 相位掩模变迹曝光技术
该技术通过控制紫外光束的输出功率以及相位模板的变速扫描，实现对纤芯或包层折射率分布的包络调控。图2-8为相位掩模变迹曝光技术原理及高斯切趾FBG反射谱[15]。
图2-8 相位掩模变迹曝光技术原理及高斯切趾FBG反射谱
2) 逐点扫描变迹曝光技术
该技术通过改变CO2激光或者飞秒激光的输出功率以及扫描次数，实现对纤芯或包层折射率分布的 ...... （共341字） [阅读本文]>>
光纤光栅CMT是目前公认的能够比较全面、细致、全程地描述光波耦合行为过程的FG理论，它是定量研究FG衍射效率及光谱分布的得力工具，分析UFG时可得到解析解并能精确计算其光谱。该理论的优点是数学方程形式简洁，完
本章主要阐述新型光纤光栅的基本内容，为新型光纤光栅模型构建、理论分析和典型应用打下必要的知识基础。首先，简述光纤光栅的基本概念;然后，以标志性事件为引导，阐述光纤光栅发展的历史沿革;进而，介绍光纤光栅分
光纤光栅(FG)的物质基础是光纤。光纤即光导纤维，它是基于光的全内反射原理制成的一种光传导器件。自1966年高锟博士(K.C.Kao)提出光纤长距离传输光信号的可行性，而后1970年美国康宁公司成功拉制
光纤光栅的发展，从低损耗光纤的拉制成功、光纤光敏性的发现以及光栅制作技术的发展角度分析，可将其分为3个阶段：初始阶段、发展阶段和成熟阶段。而每一阶段发生的标志性事件，则突出记录了光纤光栅的发展历程。
1978—1989年为光纤光栅的初始阶段，其时间跨度约为12年。该阶段的特点是首先发现了光纤光敏性现象，进而发明了光栅写制技术，其中有两个重大标志性事件。1)发现光致折变现象1978年，K.O.Hill
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