第14问 什么是薄膜晶体管
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT),它的前身是半导体器件MOSFET(金属氧化物场效应管)。TFT是形成于玻璃基板上的MOSFET。由于在玻璃衬底上无法生长单晶硅(目前主要的衬底是蓝宝石,即Al2O3),初期的替代半导体层材料是CdS,虽然其具有优秀的迁移率(100 cm2/(V·s)),但是相对于非晶硅,它是一种多晶的复合材料,特性受到晶粒大小、晶界尺寸、化学计量比等因素的影响,并且对环境要求较高。而非晶硅通过H化之后,其特性趋于稳定,虽然特性没有很好(迁移率为0.5 cm2/(V·s)),但是对于大面积低成本显示器件,已经够用了。
TFT从定性上可以理解为水龙头,开态电流对应于水流的大小,关态电流可以理解 ...... (共1222字) [阅读本文]>>