目前制作非晶硅基板通用的是5Mask工艺，即需要五道光刻工艺(如图1所示)。
图1 五道Mask工艺步骤
第一道光刻工艺：形成栅电极图形，其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案(标记图案用于接下来工序的对位基准)。
第二道光刻工艺：形成半导体图案，即非晶硅岛，作为TFT沟道。
第三道光刻工艺：形成源漏金属层，主要包括数据线、TFT源漏电极。
第四道光刻工艺：形成接触孔，主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区。
第五道光刻工艺：形成ITO电极，主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。
这五道Mask相对成熟，良率也较为稳定。而每一道光刻工艺又包含曝光、显影 ...... （共809字） [阅读本文]>>
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