非晶硅TFT使用CVD(化学气相沉积)，简单理解就是把基板放入密封的反应室内向其输入反应气体，通过温度、等离子体、光(UV)、电场等对分解气体在不改变基板特性的情况下进行固态沉积。
非晶硅成膜共分为以下4个阶段：
(1) 自由电子活性化
在真空腔体内，等离子体重的自由电子在电场下加速。
(2) 供给气体电离
阳离子：向射频电源的输入方向加速;
电子：向Ground方向加速。
(3) 4种初始粒子的形成
第一反应：初始粒子生成
这里的ΔH为形成初始粒子所需要的能量，由外部电源提供。
第二反应：初始粒子与原料气体反应
这里的SiH3是主要使用的初级粒子，由SiH4生成比例在0.1%左右。
(4) 在基板表面生成非晶硅膜
SiH ...... （共497字） [阅读本文]>>
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