上一问与大家聊过非晶硅TFT的制造工艺，这一问介绍一下LTPS TFT的制作工艺。a-Si TFT一般为底栅5Mask结构，而LTPS TFT由于底栅结构导致硅层中结晶性不佳，无法提高载流子迁移率，目前顶栅式LTPS TFT已是主流结构。
LTPS TFT与a-Si TFT主要有两点制程差别：(1) 需要激光退火结晶工艺(ELA)来形成多晶硅半导体层;(2) 需要离子掺杂工艺，目的是降低源漏接触电阻，并且降低关态漏电流。
目前LTPS TFT主要应用在小尺寸屏幕当中，这些屏幕对边框要求较高，一般使用GIP或者GOA技术(栅驱动电路设置在玻璃基板上)。在这种设计下，周边驱动电路TFT可以分为CMOS、PMOS以及NMOS结构。
对于NMOS或者PMOS TFT，其制作工艺相对简单一 ...... （共678字） [阅读本文]>>
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