如图1所示为ITO与Ti/Al金属接触图案，其中金属中心开孔，下方垫有半导体层。为什么不采用如图2表示的简单接触孔样式呢?
图1 ITO与Ti/Al金属接触孔
图2 理想ITO与Ti/Al金属接触孔
如图3所示，ITO与金属Al直接接触，但是Al膜会与ITO膜之间由于氧扩散在两者界面生成Al2O3绝缘层，明显影响其欧姆接触特性。那通过湿刻将上层的Al刻掉再沉积ITO膜是否可行呢?
图3 A-A′截面图
如图4所示，如果将Al湿刻掉，让ITO与金属Ti直接接触，由于在湿刻时Al会发生侧方向刻蚀，所以在接触孔侧边会产生断层，而断层高度为Al金属厚度，其厚度远远大于ITO厚度，所以ITO在接触孔四周发生断线，导致ITO与金属无法连接。
图4 Al湿 ...... （共557字） [阅读本文]>>
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