第33问 为什么彩膜侧ITO薄膜要比阵列侧ITO薄膜厚
在TN型或者VA型液晶显示器中,彩膜侧需要设置ITO共通电极,与阵列侧像素电极形成垂直电场。彩膜侧ITO薄膜厚度一般为1500 Å左右,而阵列侧ITO薄膜厚度一般在500 Å左右。同样是ITO薄膜,为何有如此差异?其实原因很简单。
彩膜侧主要是有机物膜层,其成膜温度较低,且耐高温能力差,温度一般在200 ℃左右,所以ITO溅射成膜只能使用低温成膜,形成非晶态ITO薄膜,其电阻率较大,故膜厚要做厚以降低方块电阻值,保证面内电压均一性。而阵列侧主要为无机材料,其耐热性能好,ITO成膜温度可接近400 ℃,可使得ITO晶化,电阻率会降低很多 ...... (共276字) [阅读本文]>>