在LTPS TFT工艺中，如使用NMOS结构，需要在源漏重掺区域与沟道之间增加LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏区)结构，而PMOS则不需要。究其原因，我们整理了一些内容供大家参考。
LDD结构是金氧半场效晶体管(MOSFET)为了减弱漏区电场，以改进热电子退化效应所采取的一种结构，即是在沟道中靠近漏极的地方设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压。这种结构可防止热电子退化效应。
我们已知道NMOS和PMOS的传导载流子不同，前者是电子，后者是空穴。电子的迁移率比空穴大很多，在同样的电场下可以获得更大的能量。在漏端和沟道连接处附近电场很强(峰值场强)，强电场使电子加速成为“热电 ...... （共506字） [阅读本文]>>
液晶显示是基于液晶分子的双折射原理而发展起来的显示技术。液晶显示模式可以根据其光学特征分为常白模式和常黑模式，也可根据其驱动方式分为被动模式和主动模式，或者根据液晶的运动状态分为TN(TwistedNe
RGBW相对于RGB，对光有较高的透过效率，粗略估算如下：如图1所示，设像素面积为1，每个子像素面积为1/3，背光光照为1，R，G，B光照透过率均为1/3。已知光线透过率=像素面积×背光光照×光照透过率
电子显示领域(无论是数字的还是模拟的)使用的是CIE的基础——RGB三原色，通过三种颜色光的叠加进而产生更多种颜色。因此电子显示领域的色域空间实际是一个“加法模型”，不同颜色光叠加产生新色彩的同时也提高
液晶面板部分与液晶显示器有相当密切的联系，它的产量、优劣以及市场环境等多种因素都关系着液晶显示器自身的质量、价格和市场走向，因为一台液晶显示器其70%左右的成本都集中在了面板上。不仅液晶面板价格的走势直
RGBWUHD又被称为GreenUHD或GreenPlusUHD，它与传统的4K×2K面板技术比较如表1所示。表1液晶面板子像素排列、分辨率及子像素数量对比从表1中可以看出，传统的像素由R(红色)、G(
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