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0.4.2 非晶硅薄膜太阳能电池

分类：薄膜太阳能电池949字

非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility， μ)较低，过剩载流子的简单扩散(diffusion)并不能实现有效的收集，所以非晶硅薄膜太阳能电池需要包含一个漂移(drift)为主的区域，以改善载流子的收集。这样，太阳能电池的结构为p-i-n结构，n+型层和p+型层之间具有本征层(intrinsic layer)。因为本征层的掺杂浓度(doping density)很低，电场(electrical field)将在本征层扩展。如前所述，材料和半导体结器件的特性严重地受制于亚稳态缺陷引起的光致衰减效应，即S-W效应(Staebler-Wronski effect)。非晶硅薄膜太阳能电池的光 ......     （共949字）    [阅读本文]>>

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