0.4.3 铜铟镓硒薄膜太阳能电池和碲化镉薄膜太阳能电池
铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散,铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上层配置的实验室转换效率记录为10.2%,而衬底配置为19.2%,如图0.6(a)所示。
碲化镉薄膜太阳能电池更加适合制备为上层配置,因为CdTe表面暴露于接触电极,如图0.6(b)所示。而且工艺中CdS扩散的良好特性可以减小CdS和CdTe之间晶格失配(lattice mismatch)。碲化镉薄膜太阳能电池在>600℃的高温沉积中使用硼硅酸盐玻璃,在60~500℃的低温沉积中使用钠钙玻璃。CdTe也可以沉积在不锈钢、Mo、 Ni、 ...... (共466字) [阅读本文]>>