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6.6 硅纳米线

直径在80~200nm范围的CdS纳米线制备方法:在880℃下,采用Au作催化剂,用激光辅助催化生长法合成,如图5.18所示。同样的方法也适合于制作硅纳米线,如图6.5所示[3],纳米线的直径由金属纳米团簇催化生长法控制。在这种方法中,靶材(原材料)在管状炉中加热,保持惰性气体流动(运载气体),运载气流将反应物输运到下层冷表面的位置(冷指),在此表面上反应物凝聚并被收集。在激光刻蚀作用的开始阶段是聚焦激光束脉冲使得一部分靶材局部蒸发,产生的原子和离子在惰性气体流中发生反应,最后凝聚在冷指上。形成的Si纳米线是晶体,生长轴的方向是(111)方向,直径均匀,为6~120nm,长为1~3 ......     (共592字)    [阅读本文]>>

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