激光的本征线宽源于自发辐射引入的随机相位噪声，也称为量子相位噪声。根据肖洛-汤斯的基本理论，本征激光线宽表示为δν=2πhν(δνc)2/P[39]。式中δνc为无源光腔的线宽，P为激光器的输出功率。这是由于激光功率越大，随机的自发辐射在输出激光功率中所占的比例越低。无源光腔线宽反比于光子的腔内寿命。光子寿命越长，自发辐射转化为激光的比率越高，从而压缩了激光线宽。记谐振腔的电场透射率为t=｜t(ω)｜exp[j∅(ω)]，腔内光子寿命可以从谐振腔的透射率相位谱对频率求导得到
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对于不同的器件，要根据具体的结构和材料性质，对其传输函数作具体的分析和计算。1) 半导体激光的 ...... （共4150字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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