由第2章的叙述可知，半导体材料的增益谱宽达数十纳米，基本上呈洛伦兹型分布。因此，普通的F-P腔半导体激光器往往会同时激发多个纵模，并且激射光谱对温度及工作电流的变化非常敏感，极易发生跳模。这些内在的不足大大地限制了半导体激光器的单频特性。另一方面，半导体激光器增益系数很高，不需要采用高反射率的腔镜就可以激射。这带来了电-光转换效率高的优点，但同时导致谐振腔Q值很低，激光线宽远大于通常的固体和气体激光器，而且它对外部光反馈非常敏感，当反馈较强时，激光器工作很不稳定，甚至有可能导致芯片损伤，性能退化。因此，要采取多种方法避免不必要的光反馈 ...... （共1078字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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