LD功率特性可以通过速率方程分析得到。考虑单纵模的情况，在直流电流驱动的稳态下，速率方程为
(2-18a)
(2-18b)
考虑两端腔面反射率不同，稳态速率方程的解要满足边界条件： 在腔面z=0上，p+(0)=R1p-(0)，在腔面z=L上，p-(L)=R2p+(L)。速率方程的解显示光子和电子浓度在腔内z方向有一个不均匀的分布。由于电子的扩散速度很快，后面的分析表明器件激射后电子浓度将趋于一个常数，因此可以在增益不随z变化的情况下求解光子密度分布。记为gnet＝Γg-αc，可解得腔内光子密度沿z方向呈指数上升的分布：(2-19 ...... （共1768字） [阅读本文]>>
由分母趋于0得到激光器的阈值条件为gnet＝L-1ln(1/)=αm，αm为镜面输出损耗。此式对式(2-13)作了Γ因子激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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