在2.1节中已经指出，半导体异质结构成了一个平面光波导。大带隙、低折射率材料构成光波导的包层;包含P-N结的小带隙区域为芯层。波导模式的场分布服从光波导的电磁场理论。图2-10为波导示意图，(a)为垂直于P-N结的波导，由异质结材料构成。对于偏振方向平行于结平面的横电场，采用图2-10的坐标，偶次模的模场分布为
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式中，κ=，γ=。它们必须满足本征方程： κtan(κd/2)=γ;由此确定光波在z方向的传输常数β。双异质结和量子阱激光器的发光区都很薄，芯层厚度通常小于1μm，因此可以保证基横模工作。图2-10 模场分布
(a) 垂直于P-N结，折射率波导;(b) 平行于P-N结的增益波导
在平行于P-N结方向 ...... （共2303字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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