半导体激光器有很强的温度依赖关系，这是半导体材料本身的温度敏感性导致的基本性质。从稳定性角度，这是它的弱点。但是，另一方面，可以利用温度效应对半导体激光器的特性进行调整和控制。
1) 阈值和功率的温度关系
随着温度的上升，半导体中热激发的载流子浓度增加，载流子在能带中也趋向于分布在较宽的能量区间。为达到粒子数反转的条件，就要求有更大的注入电流密度，这就导致LD的阈值随温度上升而增大。阈值温度关系的经验公式为如下的指数函数：
Ith(T)=I0exp[(T-T0)/T0]∝exp(T/T0)
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式中，T0称为阈值温度关系的特征温度。T为P-N结的实际温度，由于激光器工作时本身的发热，结温激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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