半导体激光器工作电流的变化和调整，将直接导致输出功率的变化。它的瞬态特性和调制响应，要从含时间的速率方程出发研究[3～10]：
(2-39a)
(2-39b)
在常规使用中，激光器在一定的直流偏置电平下叠加交流电流进行调制。由直流偏置下的速率方程解，可得关系式(vΓgNp0+γspτ-1sp)N0＝(τ-1p+vΓgNNt)p0。在阈值以上足够高的偏置下，可略去小量γsp，有vΓgN(N0-Ntr)≈τ-1p，稳态光子密度表示为(2-40)
在直流偏置叠加单频调制电流下，注入电流写为J=J0+J1ejωt。在小信号近似下，载流子浓度和光子密度表示为N=N0+N1ejωt和p=p0+p1ejωt。代入速率方程，略去小量相乘的非线性项，可得(2-41 ...... （共2275字） [阅读本文]>>
式中，ω2R＝vΓgNp0/τp，γR＝vΓgNp0+τ-1激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
上一篇