半导体激光器增益谱很宽，F-P腔没有纵模选择的功能，因而普通的F-P腔LD难以实现单纵模工作。众所周知，光栅的衍射具有优越的选频特性。人们利用半导体工艺将光栅与半导体激光器的有源区结合在一起，研制成功以分布反馈(Distributed Feedback，DFB)激光器、分布布拉格反射(Distributed Bragg Reflector，DBR)激光器为代表的单片集成单频激光器。DFB激光器具有极好的单纵模工作特性;DBR激光器在保持单模工作的同时，具有大范围的可调谐特性。这两种器件在技术上和产品化方面都取得了成功。根据多层介质膜滤波器的原理和半导体异质结生长技术，人们又研制成功垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting ...... （共407字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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