第2章介绍的半导体激光器利用半导体材料的解理面作为腔镜，无论是否制作了高反或增透介质膜滤波器，其反射率在增益带宽内都是平坦的。腔纵模决定于两腔面间的F-P干涉，不具备纵模选择性。因此，F-P腔激光器难以保证单纵模运转。即使在一定的结构下和一定的直流偏置电流下，某一单纵模有压倒性的优势，在高频调制下这种优势也会消失，而往往呈现多纵模运转。以光通信为主的许多实际应用必须使用动态单纵模激光器。曾经研究开发了多种结构，最终分布反馈激光器显示了优良的特性和高的性价比，成为一种应用广泛的半导体激光器。不同于集总型光学元件的解理面腔镜，DFB-LD利用半导体 ...... （共444字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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