VCSEL具有许多不同于边发射半导体激光器的特性，以下是应用中受到关注的几个主要性能和特点。
1) 低阈值、高能量效率
VCSEL的一个优点是极低的阈值。有赖于结构设计和工艺技术的优化，使DBR的反射率达到接近于1。它的腔长极短，腔内损耗主要是界面的散射;工艺技术的优化也使腔内损耗趋于极小，因此激射要求的阈值增益很低。另一方面，基横模VCSEL的通电面积只有10μm2量级，远小于边发射条形激光器(1000μm2量级)。因此，VCSEL的阈值电流远低于边发射激光器。许多文献报道了低阈值VCSEL的实验结果[44，63～66]。图3-19给出一个典型的850nm波段AlGaAs面发射激光器的输出功率-电流特性和伏安特性[63]，可 ...... （共3206字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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