无论是常规的F-P腔半导体激光器，还是高性能的DFB、EBR激光器，激光振荡的方向都与生长的P-N结有源区平行，激光都从半导体材料的解理面输出。这样的结构充分利用了有源区的增益，具有效率高、输出功率大的优点。但是也有缺点，一是发光区为一个小的长方形，输出光束发散角大，且呈长椭圆形。在许多应用中，无论是与光纤耦合，还是用透镜准直、聚焦，都希望圆形光束，这就需要在外部做复杂的光束整形。二是在激光器生产中必须采用解理工艺，批量生产时难以机械化和自动化，工艺复杂，成本高。因此，从芯片表面发射激光的激光器成为一个重要的研究课题。人们研究过几个面发射激光 ...... （共4851字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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