这儿考虑外腔镜反射率不随波长变化的宽光谱特性的情况，文献[6，8～10]对此进行了深入的研究。与第2章讨论激光器的光子密度变化不同，在外腔激光器的分析中必须分别考虑光波的幅度和相位，并加入外腔反馈的因子。激光器的速率方程写为[6，9，10]
(4-6)
式中，ωLD＝πMc/(nL)为LD芯片的谐振频率;Gnet＝vg(g-αc)为时域的净增益，损耗系数αc包括有源区的损耗和左端面的腔面损耗;κ为外腔反馈系数，它根据外腔引入前后激光器腔面输出损耗的变化得到。文献考虑了r2rex≪1的弱反馈的情况，忽略芯片右端面和外腔镜之间的来回反射，只需要考虑一次外腔反射，此时有κ≈rex(1-r22)/(r2τc)。τc＝2nl/c为光波 ...... （共2245字） [阅读本文]>>激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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