上一节讨论表明，在弱反馈情况下外腔长度增大有利于压缩线宽。但是腔长增大使纵模间隔减小，这就要求采取纵模选择的机构。另一方面，为了扩大激光器的调谐范围，也需要采用具有波长调节的机构。因此往往采用具有窄带光谱性质的外腔反射镜，比如平面光栅、光纤光栅等。同时，LD芯片内腔纵模会干扰外腔镜的选频作用和调谐功能。为此芯片的耦合端面必须做减反射处理，以抑制内腔纵模，加强外腔镜的作用。上述弱反馈理论就不再适用于这种强反馈的情况。
常用的选频腔镜有多层介质膜干涉滤光片、无源F-P腔、衍射光栅等元件。它们在反射峰附近的光谱特性可以用洛伦兹线型描述[12]：
( ...... （共1269字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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