半导体激光器的注入锁定是一个主从结构的器件，其基本结构如图4-5所示。一般主激光器(Master)为连续运转，具有低噪声、窄线宽、稳定中心波长的优良光谱特性。而从激光器(Slave)在独立自由运行时光学性质不够满意，但能够满足主激光器不具备的应用需求，如高速调制、大功率输出等。
图４－５ 半导体激光器注入锁定结构
半导体激光器的注入锁定与外腔激光器有相似的物理机制，差别在于前者有高性能外部主激光作为从激光器(LD芯片)的种子，而后者以激光输出自身的外腔反馈作为种子，两者有相似的理论处理方法。考虑光频锁定在种子激光频率ω上的从激光器，记ωLD为LD芯片的谐振频率，光场 ...... （共1927字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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