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为了大幅度地降低现有晶体硅太阳能电池的成本，需要减小典型太阳能电池结构中高纯硅的材料使用量。晶体硅太阳能电池中，多数晶体硅材料对太阳能电池只是作为机械载体，大部分的光吸收只发生在最多30μm的区域内。当使用一定的方法最大化陷光结构时，最低0.5μm的有源层厚度足够实现15%的转换效率[1]。更薄的硅片以减小Si的使用量是一个发展方向，但是用厚度低于200μm的硅片生产电池，工艺的良率会出现较大的裂纹(crack)扩散问题。为了避免这样的问题，发展了特殊衬底类型，如三晶硅(tri-crystalline silicon)材料[2]或很薄的边缘限制薄膜生长(Edge-defined Film-fed Growth， EFG)的带硅(ribbon silicon)[3]。
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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