我们将按照沉积温度(deposition temperature)顺序讨论不同的生长外延层沉积技术，由最高沉积温度的技术讨论到最低沉积温度的技术。这种分类方法也反映了实验结果的数量和相关技术的成熟程度。这是一个容易理解的事实，因为晶体硅薄膜太阳能电池需要的外延层厚度远大于典型微电子器件(microelectronics)应用中的外延层厚度，当然功率器件(power device)例外。晶体硅薄膜太阳能电池要求的外延层厚度为5～30μm范围，需要较高的生长速率(growth rate)以避免过多的沉积时间。在低沉积温度，吸附原子(adatom)的表面迁移率(surface mobility)较小，吸附原子没有足够的时间弛豫到晶格位置，会增加结晶缺陷(crystallographic ...... （共453字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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