1.2.5 等离子体增强化学气相沉积和电子回旋共振化学气相沉积
除了加速离子,等离子体技术也可以提供外加能量,增加表面迁移率,用低温沉积方法实现高质量的外延生长。
通过低能量的等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),含有低能量离子的高电流等离子体放电可以产生较高的沉积速率,并保证晶片表面没有损伤[48]。这种技术的主要应用是为先进的金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor, MOS)器件生长具有成分梯度的SiGe弛豫缓冲层(relaxed buffer layer),这样的PECVD技术原则上也可以制备外延晶体硅薄膜太阳能电池。
电子回旋共振化学气相沉积(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition,ECR-CVD)同样可以提供高浓度的等离子体,以大幅 ...... (共446字) [阅读本文]>>