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1.2.4 离子辅助沉积

分类：薄膜太阳能电池1092字

离子辅助沉积(Ion Assisted Deposition，IAD)基于电子枪蒸发(Electron Gun Evaporation， EGE)和Si的部分离子化(partial ionization)[43]，如图1.7所示。外加电压(external voltage或applied voltage)会加速Si离子向衬底的运动。典型的加速电压(acceleration voltage)为20V，这在单晶硅外延层上产生最少的蚀刻坑(etch pit)[44]。

图1.7　离子辅助沉积IAD技术图解

加速离子提供的能量增加了表面吸附原子的迁移率。因此，IAD技术的外延生长可以在435℃的低温下实现0.5μm/min的高沉积速率。单晶外延层的霍尔迁移率(Hall mobility)随沉积温度递增，达到的数值相当于温度>540℃的晶体硅。IAD生长B掺杂薄膜的多数载流子迁移率几乎达到掺杂浓度在1016～1020 ......     （共1092字）    [阅读本文]>>

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