1.3.1 绒面衬底上的外延生长
第一种增加外延层的光吸收技术是在外延生长之前,运用化学方法在衬底上制绒(texturing)。但是,这种技术仍然有缺点。外延生长形成的小平面(facet)会使绒面(textured surface)结构变得平坦,从而减小绒面工艺的有效性。而且,由于外延生长前的表面已经相当粗糙,外延层的缺陷密度将会很高,结果很难实现较高的开路电压Voc。
绒面也可以通过机械方法制备,如图1.8所示。机械方法比较直接,外延生长前在Si衬底上刻划凹槽(groove),共形生长(conformal growth)使有源层中的光程长增加,如图1.8(a)所示。有研究探讨了反射达到最小的凹槽结构[50]。当把绒面技术应用于多晶硅衬底时,需要考虑外延层的小平面生 ...... (共784字) [阅读本文]>>