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1.3.2 硅锗合金

分类：薄膜太阳能电池3041字

一种直接增加短路电流密度(short circuit current density， Jsc)的技术是用Si和Ge的合金(alloy)增加晶体硅薄膜太阳能电池的吸收系数。SiGe合金的较小带隙可以增加电池的红外光吸收，但是会同时减小太阳能电池的开路电压Voc。在晶体硅太阳能电池中，这样的损失会超过短路电流密度的增加。在用x<10%的Si1-xGex衬底制备的外延晶体硅薄膜太阳能电池中[52]，证实了这样的问题。但是，至少在理论上，晶体硅薄膜太阳能电池的开路电压Voc减小是有限的。因为表面复合(surface recombination)超过体内复合(bulk recombination)，通过Si/Si1-xGex异质结背表面场(Back Surface Field， BSF)，可以在理论上消除大部分开路电压Voc的损失，如 ......     （共3041字）    [阅读本文]>>

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