外延晶体硅薄膜太阳能电池的优势是低成本的Si衬底，已经有了基于单晶硅和多晶硅衬底的不少实验室成果。在20世纪90年代，有数个实验室报道了高掺杂单晶硅衬底上生长外延晶体硅薄膜太阳能电池的研究成果，证明了较高的转换效率潜力。外延层的生长技术以化学气相沉积CVD[70]和液相外延LPE[71， 72]为主，高掺杂单晶硅衬底的实验室成果确认了外延晶体硅薄膜太阳能电池的高转换效率潜力，见表1.2。通过注氧隔离(Separation by IMplantation of OXygen， SIMOX)或背面蚀刻(etching back)，可以制备氧化物中间层，用绝缘体上硅(Silicon On Insulator， SOI)形成掩埋背反射镜的陷光结构。一些报道认为，高掺杂Si衬底和外延 ...... （共1109字） [阅读本文]>>
.jpg)
薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
.jpg)
薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
.jpg)
薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
.jpg)
薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
.jpg)
薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
上一篇