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通过绝缘体(dielectricum)SiO2的开口(opening)，外延横向过度生长技术可以实现Si的择优外延生长，如图1.14(b)所示。通过热氧化(thermal oxidation)，得到的绝缘体SiO2具有掩蔽层(masking layer)的作用。化学气相沉积CVD的择优特性来自于控制Si蚀刻和Cl气氛下生长的平衡。为了在绝缘体SiO2上过度生长，横向生长速率需要比纵向生长速率更快，并需要将开口尺寸控制在外延层厚度的2倍。
图1.14 掩埋背反射镜的两种基本技术
(a) 多孔硅中间层; (b) 外延横向过度生长
因为接近热平衡状态的特征，液相外延LPE生长更加容易得到较高的长宽比(aspect ratio)。多数情况下，生长在(111)晶面Si衬底上得到平滑外延层表面，如图1.17(a)所 ...... （共886字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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