虽然外延晶体硅薄膜太阳能电池的生产工艺与经典的晶体硅太阳能电池很相似，但是这种技术的发展需要解决两个问题。
第一个问题是实现低成本Si衬底的商业化。在短期内，基于冶金级硅MG-Si衬底的外延晶体硅薄膜太阳能电池可以实现14%～15%的转换效率。需要大幅增加生产MG-Si原料的产能(production capacity)，大规模地制备MG-Si的硅锭(silicon ingot)和硅片。
第二个问题是发展高生产速率的沉积设备，实现以数m2/h的速率生长外延层，外延层的厚度在5～20μm范围。微电子领域发展的商业化外延反应腔(epitaxial reactor)需要实现1%量级的厚度均匀度和掺杂均匀度。相对而言，外延晶体硅薄膜太阳能电池要求的生产速 ...... （共1139字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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