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1.5.1.1 连续化学气相沉积

分类：薄膜太阳能电池1451字

连续化学气相沉积(Continuous Chemical Vapor Deposition， ConCVD)概念接近于目前多数晶体硅太阳能电池生产线使用的在线式工艺，该工艺非常适合大规模生产。ConCVD概念基于连续输运晶片工艺，通过热反应区域发生外延沉积。为了提高气相Si到固相Si的沉积效率，减小寄生沉积(parasitic deposition)，ConCVD依赖于管套管(tube-in-tube)的概念[87， 88]。内管(inner tube)为反应腔，长方形衬底形成反应腔的侧壁，反应腔嵌套在外管(outer tube)中，如图1.20所示。外管通入大量的H2和惰性气体，将反应气体SiHCl3和H2引入反应腔发生沉积。2列衬底连续地滑动经过ConCVD的反应腔，这就解决了横向均匀度(lateral homogeneity)和气体耗尽相互矛 ......     （共1451字）    [阅读本文]>>

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