制备异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池的高温工艺具有较高的Si沉积速率，而且再结晶后的晶粒尺寸较大，外延层的缺陷密度较低。但是，必要的温度稳定性(temperature stability)限制了异质衬底材料的选择，因为需要满足以下要求：
● 机械稳定性(mechanical stability)和化学稳定性(chemical stability)：一个对异质衬底的基本要求是高温工艺中的机械稳定性。丝网印刷和层压(lamination)要求抗弯强度(bending strength)约为150MPa[11]。至于化学稳定性，异质衬底材料需要在区熔再结晶ZMR过程中与液相Si不发生化学反应。还需要防止有害杂质从异质衬底扩散到Si有源层。对于这两个化学稳定性问题，引入中间层进行阻挡可以降低 ...... （共1273字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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