异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池可以选用的低成本异质衬底包括：
● Si3N4陶瓷[19， 20];
● ZrSiO[21]4;
● 渗硅碳化硅(Silicon infiltrated Silicon Carbide， SiSiC)陶瓷[22];
● 反应结合碳化硅(Reaction Bonded Silicon Carbide， RBSiC)陶瓷[23];
● 基于Al2O3的陶瓷[24];
● 富铝红柱石(mullite)陶瓷[25， 26];
● 赛伦(Silicon Aluminum OxyNitride， SiAlON)陶瓷[27， 28];
● 石墨(graphite)[12， 29];
● 粉末生长带硅SSP[28， 30]。
并不是所有这些异质衬底材料都满足上节中提出的要求。例如，Al2O3的热膨胀系数TEC与Si相差很大，所以Al2O3衬底只能直接沉积Si，而不能使用区熔再结晶ZMR。为了读者能够较好地理解以下章节，这里需要更加详细地介绍这些低成本异 ...... （共1966字） [阅读本文]>>
.jpg)
薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
.jpg)
薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
.jpg)
薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
.jpg)
薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
.jpg)
薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
上一篇