2.2.2.2 杂质扩散
中间层不但有陷光作用,还是针对衬底杂质的扩散阻挡层。原则上,在异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池中,任何化学元素都是对Si有源层的杂质污染,而我们重点关注的杂质元素由以下三个原则界定:
● 原材料中浓度较大的元素:过渡金属Fe、 Ni、 Ti和其他元素Al等存在于冶金级硅MG-Si和基于Si的陶瓷中[46]。这些杂质元素的浓度最高可以达到1020cm-3,而且在高温下,大部分都易于迁移。即使少量杂质输运到Si有源层,都会对异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池性能产生较大的负面影响。
● 对太阳能电池性能具有较大的损害:在所有污染元素中,过渡金属元素尤其有害,会严重地降低太阳能电池的转换效 ...... (共1591字) [阅读本文]>>