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2.3.5 陶瓷衬底上的区熔再结晶

分类：薄膜太阳能电池2082字

之前章节的讨论表明，即使用单晶硅或多晶硅硅片作为模型衬底，区熔再结晶ZMR生长Si薄膜的质量也依赖于衬底的数个参数。如果用非理想的陶瓷衬底，ZMR更加会受到陶瓷衬底较差特性参数的影响。区别于Si模型衬底，陶瓷衬底的以下几个方面材料固有特性对ZMR工艺制备异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池有重要意义：

● 表面粗糙度：Si衬底可以通过简单的各向同性蚀刻(isotropic etching)达到显微量级的平滑，蚀刻溶液可以是CP133(Chemical Polish 133)，由HF(50%)、HNO3和CH3COOH按1∶3∶3的比例制备。但是，陶瓷衬底表面通常不会被化学蚀刻(chemical etching)改变，会保持烧结后达到的状态。陶瓷衬底的表面粗糙度依赖于衬 ......     （共2082字）    [阅读本文]>>

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