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2.3.4.2 工艺控制

分类：薄膜太阳能电池1282字

我们已经详细地讨论了区熔再结晶ZMR工艺中温度梯度、生长形貌和缺陷密度之间的关系。根据这些讨论，结晶面温度梯度的精确控制对生长高质量ZMR薄膜非常重要。

虽然不容易直接测量温度梯度的数值，但是利用熔化Si的反射率变化，可以间接地测量温度梯度。Robinson和Miaoulis运用数值模拟计算了结晶面温度梯度和熔化区域宽度的关系[86]：熔化区域越小，温度梯度越低。这样的结论与对结晶面形貌的实验观测吻合[87， 104]。所以，图像分析可以探测熔化区域的宽度，从而实现ZMR工艺的控制。

Wong和Miaoulis首先报道了用这种方法控制Ga薄膜的再结晶[105]。他们的系统实现了对结晶面位置和结晶面图形二个参 ......     （共1282字）    [阅读本文]>>

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