太阳能行业几乎所有的研发力量都集中于降低单位Wp的成本。成本效益也是未来Si沉积设备和工艺的最重要要求。通过简单的计算，沉积Si层的成本上限为30/m2，并且要求沉积工艺实现高质量的Si薄膜，才能制备具有较大商业价值的异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池(参见2.4.3节)。Si沉积设备和工艺的基本要求为：
● 高生产速率(5～10m2/h);
● 高生长速率(≥5μm/min);
● Si前驱物具有高化学产率(chemical yield);
● 可以制备长方形或正方形晶片;
● 可以在粗糙和多孔陶瓷衬底上沉积;
● 足够的薄膜质量(外延层的扩散长度超过薄膜厚度的2～3倍);
● 可控的掺杂分布;
● 简单的设备配置。
在所有的沉积方法中[20]，SiHCl3作为 ...... （共1077字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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