论述常压化学气相沉积APCVD的Si生长工艺是一个复杂的问题，需要将气体输运现象和化学反应在衬底表面和气相进行耦合。一个描述整个沉积工艺的总体模型要求解数个耦合的偏微分方程。因为这个问题的巨大复杂性，很多研究人员忽略了气相流体力学，将分析局限在一个简化的模型中。而改进模型和模拟工具的开发仍然是目前研究的论题[108～110]。
异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池的Si沉积有两个关键特性参数影响沉积工艺的生产速率和成本：生长速率和化学产率。需要对这两个参数做进一步的讨论 ...... （共233字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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