常压化学气相沉积APCVD的前驱物是SiHCl3-H2系统，对应的生长速率，即沉积速率，依赖于沉积温度、气相成分和总气压，这很容易得到实验的证实(demonstration)。为了确定最优化的工作点和最优化的反应腔几何设计，对沉积反应建立分析模型不可避免。关于在横向常压反应腔中高温分解SiHCl3的Si沉积工艺，Habuka建立了理论生长模型[111]，并且通过实验证实。形成Si沉积的化学反应具有两个反应步骤：
● SiHCl3分子碰撞衬底表面后被化学吸附(chemisorption)，产生SiCl2和挥发性的HCl;
● SiCl2分子与H2反应，产生HCl和形成晶体的固相Si。
在简化的形式中，总体的化学反应可以描述为：
SiHCl3 + H2Si + 3HCl
(2.1)
图2.20 根据常压 ...... （共1040字） [阅读本文]>>
.jpg)
薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
.jpg)
薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
.jpg)
薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
.jpg)
薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
.jpg)
薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
上一篇