1) 纵模特性
激光器纵模决定于激射的相位条件： λm＝2nL/m，即腔长是半波长的整数倍。纵模间隔为Δλ=λ2/(2ngL)。折射率谱与损耗或增益谱之间，存在着源于线性系统因果关系的本质性联系，即克喇末-克朗尼克(Kramers-Kronig)关系[14，18]：
Δn(λ)=Pdλ′
(2-34)
式中，P表示科西积分的主值。因此，在激光增益波段，材料的群折射率不是常数，因而纵模间隔也不是常数，这就是所谓频率牵引效应。与通常的气体和固体激光器相比，半导体激光器增益系数很大，频率牵引效应更明显。半导体激光器的特点是腔长短、纵模间隔大、增益光谱很宽。激光器纵模特性与介质增益的展宽机理有关。通常情况下半导体属 ...... （共1441字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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