1) 均匀光栅DFB激光器阈值条件
耦合模理论是分析DFB激光器特性的基本方法[4～6]。根据这个理论，折射率和增益的周期性分布作为速率方程的微扰项考虑。有源区介质的折射率包含代表增益的虚部和周期为Λ的周期性微扰，表示为
n(z)=n0+nmcos(2πmz/Λ)≈n0+n1cos(2βBz+φ)
(3-1)
式中，z为腔长方向，φ为坐标起点在光栅周期中的相位。最后一式为仅考虑一阶傅里叶展开的结果，βB＝π/Λ为一维光栅的布拉格波矢，对应的波长为λB＝nΛ/2。n0＝n0r+jn0i，n0i＝α/(2k0)。设周期性微扰包含相同空间分布的折射率调制和增益调制，n1＝n1r+jn1i。在分布反馈的作用下，光场表示为前向传输和后向传输光波之和：E(r)=F(x，y)[A(z)ex ...... （共3164字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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