通常DFB激光器需要采用二步外延生长的工艺制作。目前半导体晶体最常用和成熟的生长方法是有机金属化学汽相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)和分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)技术。首先在衬底(通常为N型半导体)上生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源层和部分P型波导层，在P型波导层上制备光栅。然后做二次外延，生长材料组分略有差别的P型波导层，并继续生长P型限制层及用于欧姆接触电极的顶层，如图3-1所示。另外一种结构将光栅做在N型波导层上。光栅制作在折射率有差别的波导层之间，这种周期性微扰导致以量子阱为核心的波导芯层有效折射率的微扰。这是一种折射率调制 ...... （共1450字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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